أنشأت نموذجًا تحليليًا متكاملًا باستخدام MATLAB لمحاكاة خصائص MOS Capacitor اعتمادًا على معادلات فيزياء أشباه الموصلات.
يتضمن المشروع:
حساب جهد السطح (Surface Potential)
رسم منحنيات C–V و Q–V
نمذجة مناطق Accumulation و Depletion و Inversion
التحقق من النتائج وتحليلها
كتابة كود MATLAB منظم وسهل التعديل
يستهدف المشروع الباحثين والطلاب في مجال هندسة الإلكترونيات وفيزياء أشباه الموصلات.